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參數資料
| 型號： | FQU2P25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2 A, 250 V, 4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 535K |
| 代理商： | FQU2P25 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
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0
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M
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(
(
(
(
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2.30TYP
[2.30
±
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2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD2P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU2P40 | 400V P-Channel MOSFET |
| FQD2P40 | 400V P-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU45N03L | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流 為30A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU2P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2P40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET |
| FQU2P40TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU30N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQU30N06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
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