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參數(shù)資料
| 型號： | FQU45N03L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流 為30A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 30 A, 30 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 788K |
| 代理商： | FQU45N03L |
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
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0.20]
2.30TYP
[2.30
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0.20]
0
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0
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9
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6
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0
5.34
±
0.20
0.50
±
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0.50
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0.10
2.30
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0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU4N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD4N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQU5N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD5N20 | 200V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQU45N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQU4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU4N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU4N20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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