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參數資料
型號: FQU4N25
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 3 A, 250 V, 1.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: IPAK-3
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 722K
代理商: FQU4N25
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相關PDF資料
PDF描述
FQD4N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQU4N50 500V N-Channel MOSFET
FQD4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQD4P40 400V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQU4N25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU4N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQU4N50_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQU4N50TU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU4N50TU_WS 功能描述:MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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