欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQU4P40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V P-Channel MOSFET
中文描述: 2.7 A, 400 V, 3.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 647K
代理商: FQU4P40
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -200V
V
DS
= -320V
V
DS
= -80V
Note : I
D
= -3.5 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
3
6
9
12
0
2
4
6
8
Note : T
J
= 25
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
25
-55
Notes :
1. V
DS
= -50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FQD5N15 150V N-Channel MOSFET
FQU5N15 150V N-Channel MOSFET
FQD5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
FQU4P40TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQU5N15TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQU5N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
主站蜘蛛池模板: 辽中县| 蓬莱市| 沧州市| 和静县| 公主岭市| 邵东县| 乐陵市| 县级市| 德钦县| 清远市| 邛崃市| 临泉县| 阜城县| 蒲江县| 保定市| 广水市| 和平区| 寿宁县| 澄城县| 铁力市| 诸暨市| 双桥区| 华宁县| 商河县| 广东省| 罗平县| 吉隆县| 灵丘县| 徐水县| 临沂市| 连平县| 且末县| 嘉祥县| 河西区| 永修县| 新竹市| 侯马市| 白河县| 隆昌县| 库车县| 远安县|