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參數資料
| 型號： | FQU5N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 4 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 628K |
| 代理商： | FQU5N50C |
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
I-PAK
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD5P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQU5P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQD5P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為3.7A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD60N03L | N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm |
| FQD6N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU5N50CTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU5N50CTU_WS | 功能描述:MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU5N50TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU5N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQU5N60CTU | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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