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參數資料
| 型號： | FQU5P10 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 3.6 A, 100 V, 1.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | FQU5P10 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, August 2002
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
V
DS
= -20V
※
Note : I
D
= -4.5 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
3
6
9
12
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※
Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD5P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為3.7A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD60N03L | N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm |
| FQD6N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQU6N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQD6N40C | 400V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU5P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQU5P20TU | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU60N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40.3A I(D) | TO-251AA |
| FQU60N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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