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參數資料
| 型號： | FQU60N03L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為40.3A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 40.3 A, 30 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 577K |
| 代理商： | FQU60N03L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
0
5
10
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 15V
V
DS
= 24V
Note : I
D
= 60A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. F = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250 s Pulse Test
25
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
Note : T
J
= 25
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
150
25
-55
Notes :
1. V
= 15V
2. 250 s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
1
10
2
GS
V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current and
Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Typical Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU630 | 200V N-Channel MOSFET(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流7A, 漏源電壓200V，導通電阻0.4Ω）) |
| FQD630 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQU6N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FQD6N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FQU7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU60N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQU6N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQU6N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQU6N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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