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參數資料
| 型號： | FQU7N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | FQU7N20L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Charge
V
GS
5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
5V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU7N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD7N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU8N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQU8P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V、漏電流為6.6A的P溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU7N20L_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU7N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU7N20TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU7N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQU7P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
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