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參數資料
| 型號： | FQU7P06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 5.4 A, 60 V, 0.451 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 645K |
| 代理商： | FQU7P06 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, September 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQU7P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強型MOS場效應管) |
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| FQD9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU7P06TU | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU7P06TU_NB82048 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU7P06TUNB82048 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
| FQU7P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQU7P20TU | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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