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參數資料
| 型號： | FQU7P20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 5.7 A, 200 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 710K |
| 代理商： | FQU7P20 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD8P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQD9N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQD9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQE10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQE10N20LC | 200V Logic N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU7P20TU | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU7P20TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V 5.7A 0.69OHM P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU8N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQU8N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU8P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
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