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參數資料
| 型號： | FRM244D |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 12 A, 250 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | FRM244D |
4-2
Pre-Radiation Electrical Specifications
TC = +25
o
C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNITS
MIN
MAX
Drain-Source Breakdown Volts
BVDSS
VGS = 0, ID = 1mA
250
-
V
Gate-Threshold Volts
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 1mA
2.0
4.0
V
Gate-Body Leakage Forward
IGSSF
VGS = +20V
-
100
nA
Gate-Body Leakage Reverse
IGSSR
VGS = -20V
-
100
nA
Zero-Gate Voltage
Drain Current
IDSS1
IDSS2
IDSS3
VDS = 250V, VGS = 0
VDS = 200V, VGS = 0
VDS = 200V, VGS = 0, TC = +125
o
C
-
-
-
1
0.025
0.25
mA
Rated Avalanche Current
IAR
Time = 20
μ
s
-
36
A
Drain-Source On-State Volts
VDS(on)
VGS = 10V, ID = 12A
-
5.04
V
Drain-Source On Resistance
RDS(on)
VGS = 10V, ID = 7A
-
0.400
Turn-On Delay Time
td(on)
VDD = 125V, ID = 12A
-
62
ns
Rise Time
tr
Pulse Width = 3
μ
s
-
258
Turn-Off Delay Time
td(off)
Period = 300
μ
s, Rg = 25
-
228
Fall Time
tf
0
≤
VGS
≤
10 (See Test Circuit)
-
110
Gate-Charge Threshold
QG(th)
VDD = 125V, ID = 12A
IGS1 = IGS2
0
≤
VGS
≤
20
2
8
nc
Gate-Charge On State
QG(on)
25
102
Gate-Charge Total
QGM
49
198
Plateau Voltage
VGP
4
16
V
Gate-Charge Source
QGS
7
30
nc
Gate-Charge Drain
QGD
13
54
Diode Forward Voltage
VSD
ID = 12A, VGD = 0
0.6
1.8
V
Reverse Recovery Time
TT
I = 12A; di/dt = 100A/
μ
s
-
600
ns
Junction-To-Case
R
θ
jc
-
1.0
o
C/W
Junction-To-Ambient
R
θ
ja
Free Air Operation
-
30
FIGURE 1. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 2. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V
DS
DUT
R
GS
0V
V
GS
= 12V
V
DD
R
L
t
P
V
GS
≤
20V
L
+
-
V
DS
V
DD
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
50
50
50V-150V
I
AS
+
-
ELECTRONIC SWITCH OPENS
WHEN I
AS
IS REACHED
CURRENT
TRANSFORMER
FRM244D, FRM244R, FRM244H
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FRM244H | 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
| FRM244R | 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
| FRM3200CC | Ultra-fast POWERplanar⑩ Rectifiers 32 A, 50-200V |
| FRM3215CC | Ultra-fast POWERplanar⑩ Rectifiers 32 A, 50-200V |
| FRM3220CC | Ultra-fast POWERplanar⑩ Rectifiers 32 A, 50-200V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FRM244H | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
| FRM244R | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
| FR-M25-AC240V-16 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| FRM-25GR-52-100R | 功能描述:RES FUSE METAL 100 OHM 1/4W 2% RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:FRM 產品變化通告:Global Part Number Change 9/Aug/2010 標準包裝:2,500 系列:RSF 電阻（歐姆）:15 功率（瓦特）:0.5W，1/2W 復合體:金屬氧化物薄膜 特點:耐燃 溫度系數:±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.138" 直徑 x 0.354" L（3.50mm x 9.00mm） 高度:- 端子數:2 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:RS 1/2 15 5% RRS 1/2 15 5% R-NDRS1/2155%RRS1/2155%R-NDRS1/215JRRS1/215JR-ND |
| FRM-25GR-52-10R | 功能描述:RES FUSE METAL 10 OHM 1/4W 2% RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:FRM 產品變化通告:Global Part Number Change 9/Aug/2010 標準包裝:2,500 系列:RSF 電阻（歐姆）:15 功率（瓦特）:0.5W，1/2W 復合體:金屬氧化物薄膜 特點:耐燃 溫度系數:±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.138" 直徑 x 0.354" L（3.50mm x 9.00mm） 高度:- 端子數:2 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:RS 1/2 15 5% RRS 1/2 15 5% R-NDRS1/2155%RRS1/2155%R-NDRS1/215JRRS1/215JR-ND |
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