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參數資料
| 型號： | FS10R06VL4B2 |
| 廠商： | EUPEC |
| 英文描述： | IGBT-Module IGBT-modules |
| 中文描述： | IGBT的模塊IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 625K |
| 代理商： | FS10R06VL4B2 |
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IGBT-Module
IGBT-modules
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS10R12VT3 | IGBT-Module IGBT-modules |
| FS10R12YT3 | IGBT-Module IGBT-modules |
| FS10SM-10 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FS10SM-10 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FS10SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS10R06XL4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 17A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10R12VT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10R12YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10R12YT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10-RL-K4 | 制造商:SENSOPART 功能描述:SENSOR THRU BEAM TRANSMITTER LASER |
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