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參數資料
| 型號： | FS15R06KFS |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 15A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第15A一（c） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | FS15R06KFS |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS15R06KLS | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 15A I(C) |
| FS15R12KF | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| FS15R12KF2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| FS16KM10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 16A I(D) | SOT-186 |
| FS16KM5 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | SOT-186 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS15R06KLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 15A I(C) |
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| FS15R06VE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS15R06VL4_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS15R06XE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 22A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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