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參數(shù)資料
| 型號： | FS200N3.25JD20 |
| 元件分類： | 連接器件 |
| 英文描述： | INTERCONNECTION DEVICE |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 336K |
| 代理商： | FS200N3.25JD20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FO1003P-06-2J056248 | INTERCONNECTION DEVICE |
| FST-43.25KE-20 | INTERCONNECTION DEVICE |
| FHSC-115-10.00-SEU-SEU-3 | INTERCONNECTION DEVICE |
| FHSC-115-10.00-STL-TTR-1 | INTERCONNECTION DEVICE |
| FST-43.25BK-20 | INTERCONNECTION DEVICE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS200P5AC5 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| FS200R06KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 ECONO PACK 3 200A, 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS200R06KL4 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-inverter |
| FS200R07A1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULES RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS200R07A1E3BOSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 650V 250A 23-Pin 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 650V 250A 790W |
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