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參數資料
| 型號： | FS20KMA-5A |
| 廠商： | Powerex Power Semiconductors |
| 英文描述： | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET高速開關使用 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | FS20KMA-5A |
PRELIMINARY
Some parametric limits are subject to change.
Sep.1998
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (th)
r
DS (ON)
V
DS (ON)
y
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
R
th (ch-c)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS20KMA-5A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
V
μ
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
°C/W
250
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
0.15
1.50
20.0
2250
220
65
35
60
400
90
0.95
—
—
±10
1
4.0
0.20
2.00
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.13
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tch = 25°C)
Drain-source breakdown voltage
Gate-source leakage current
Drain-source leakage current
Gate-source threshold voltage
Drain-source on-state resistance
Drain-source on-state voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Source-drain voltage
Thermal resistance
Symbol
Unit
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
Min.
Max.
I
D
= 1mA, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V
I
D
= 10A, V
GS
= 10V
I
D
= 10A, V
GS
= 10V
I
D
= 10A, V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
V
DD
= 150V, I
D
= 10A, V
GS
= 10V, R
GEN
= R
GS
= 50
I
S
= 10A, V
GS
= 0V
Channel to case
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS20SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FS20SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FS20SM-5 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS20SM-5 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS20SM-6 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS20R06KFS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C) |
| FS20R06KLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C) |
| FS20R06VE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS20R06VE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS20R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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