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參數資料
型號: FS25R12YT3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-modules
中文描述: 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-22
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 277K
代理商: FS25R12YT3
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12YT3
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2003-5-7
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 25 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
40
80
120
160
200
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Eóò
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
10
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,069
0,000608
2
0,23
0,0157432
3
0,644
0,1346875
4
0,207
0,2183385
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 30 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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