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參數資料
| 型號： | FS50SM-5A-A8 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
| 中文描述： | 高速開關使用N溝道功率MOS場效應管 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | FS50SM-5A-A8 |
FS50SM-5A
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 4 of 6
Transfer Characteristics (Typical)
Gate-Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current (Typical)
Drain Current I
D
(A)
Ff
Switching Characteristics (Typical)
Drain-Source Voltage V
DS
(V)
Capacitance vs.
Drain-Source Voltage (Typical)
Drain Current I
D
(A)
C
S
Gate-Source Voltage vs.
Gate Charge (Typical)
Gate Charge Qg (nC)
G
G
Source-Drain Diode Forward
Characteristics (Typical)
Source-Drain Voltage V
SD
(V)
S
S
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
10
–1
10
1
10
0
2
5
7
2
5
7
2
5
7
10
2
2
5
7
10
3
10
1
7
10
2
5
5
5
7
3
10
3
10
0
3
2
3
2
2
7
10
1
10
2
2
3
4
5
7
10
3
2
3
4
5
7
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
10
0
10
1
2
2
4
4
7
10
2
3
3
5
5
7
10
0
10
1
2
2
4
4
7
10
2
3
3
5
5
7
10
0
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
0
4
8
12
16
0
40
80
120
160
200
V
DS
= 100V
200V
0
40
80
120
160
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Tc = 25°C
V
DS
= 30V
Pulse Test
V
DS
= 10V
Pulse Test
Tc = 25°C
75°C
125°C
Tch = 25°C
f = 1MHz
V
GS
= 0V
Ciss
Coss
Crss
Tch = 25°C
V
DD
= 150V
V
GS
= 10V
R
GEN
= R
GS
= 50
Tch = 25°C
I
D
= 50A
Tc = 125°C
25°C
V
GS
= 0V
Pulse Test
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