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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FS75R06KF2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一（c） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | FS75R06KF2 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS75R06KF3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
| FS781BT | MISCELLANEOUS CLOCK GENERATOR|TSSOP|8PIN|PLASTIC |
| FS781BZB | MISCELLANEOUS CLOCK GENERATOR|SOP|8PIN|PLASTIC |
| FS782BT | MISCELLANEOUS CLOCK GENERATOR|TSSOP|8PIN|PLASTIC |
| FS782BZB | MISCELLANEOUS CLOCK GENERATOR|SOP|8PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS75R06KF3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| FS75R07N2E4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 75A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS75R07N2E4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 75A 650V |
| FS75R07W2E3B11A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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