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參數資料
| 型號： | FXT653 |
| 英文描述： | Obsolete - alternative part: ZTX653 |
| 中文描述： | 過時-替代部分：ZTX653 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | FXT653 |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
*
100 Volt V
CEO
*
2 Amps continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
= 1 Watt
REFER TO ZTX653 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
120
V
Collector-Emitter Voltage
100
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
6
A
Continuous Collector Current
2
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
120
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
100
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.1
10
μ
A
μ
A
V
CB
=100V, I
E
=0
V
CB
=100V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.13
0.23
0.3
0.5
V
V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=2A, I
B
=200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
1.25
V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.8
1
V
IC=1A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
55
25
200
200
110
55
300
I
C
=50mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
Transition
Frequency
f
T
140
175
MHz
I
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
30
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
FXT653
3-48
B
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