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參數資料
| 型號： | FXT655 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | FXT655 |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 FEB 94
FEATURES
*
150 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
= 1 Watt
REFER TO ZTX655 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
150
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
I
CM
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
I
C
1
A
Power Dissipationat T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
P
tot
T
j
:T
stg
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
150
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
150
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=125V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current I
EBO
100
nA
V
EB
=3V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
0.5
V
V
I
C
=500mA, I
=50mA*
I
C
=1A, I
B
=200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.1
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1
V
IC=500mA, V
CE
=5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
20
I
C
=10mA, V
CE
=5V
I
C
=500mA, V
=5V*
I
C
=1A, V
CE
=5V*
Transition
Frequency
f
T
30
MHz
I
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
20
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
FXT655
3-49
B
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PDF描述 |
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參數描述 |
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| FXT655STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT657 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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