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參數資料
| 型號： | FXT690B |
| 英文描述： | Obsolete - alternative part: ZTX690B |
| 中文描述： | 過時-替代部分：ZTX690B |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | FXT690B |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 1 MAY 94
FEATURES
*
45 Volt V
CEO
*
Gain of 400 at I
C
=1 Amp
*
Very low saturation voltage
APPLICATIONS
*
Darlington replacement
*
Siren Drivers
*
Battery powered circuits
*
Motor drivers
REFER TO ZTX690B FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
45
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
45
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Peak Pulse Current
I
CM
6
A
Continuous Collector Current
I
C
2
A
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.5
W
Power Dissipation
at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
45
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
45
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=35V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
0.1
0.5
V
V
I
C
=0.1A, I
=0.5mA*
I
C
=1A, I
B
=5mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
V
I
C
=1A, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.9
V
IC=1A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
500
400
150
I
C
=100mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
E-Line
TO92 Compatible
3-52
B
FXT690B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT755 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| FY7BCH-02B | FY7BCH-02B Datasheet 99K/MAR.20.03 |
| FY7BCH02E | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
| FY7BCH-02F | FY7BCH-02F |
| H_183_4S | Microwave Hybrid Junction |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FXT690BSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT690BSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT690BSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT705 | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT705STOA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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