欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FZ2400R17KF6CB2
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 121K
代理商: FZ2400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
FZ2400R17KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
2400
A
T
C
= 25 °C
I
C
3800
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
4800
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
19,2
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
2400
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
I
FRM
4800
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
1500
kA
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 2400A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
2,6
3,1
V
I
C
= 2400A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 190mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
29
μC
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
160
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
8
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
0,06
4,5
mA
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
30
240
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
400
nA
prepared by: Alfons Wiesenthal
date of publication:
10.11.2000
approved by: Christoph Lübke; 10.11.2000
revision: serie
1(8)
FZ2400R17KF6C B2
相關PDF資料
PDF描述
FZ240R17KF TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 240A I(C)
FZ24R12K4 IGBT Module
FZ300R06KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FZ300R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FZ300R12KF2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
相關代理商/技術參數
參數描述
FZ2400R17KF6C-B2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 2400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ240R17KF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 240A I(C)
FZ24-2000 制造商:POWERVOLT 制造商全稱:POWERVOLT 功能描述:CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER
FZ24NS 制造商:International Rectifier 功能描述:
FZ24R12K4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
主站蜘蛛池模板: 阿拉尔市| 基隆市| 沽源县| 萍乡市| 安庆市| 桑植县| 光泽县| 忻城县| 德兴市| 天镇县| 平陆县| 东方市| 南城县| 咸阳市| 博罗县| 南宫市| 瑞丽市| 郓城县| 镇原县| 偃师市| 兴业县| 盐山县| 平顶山市| 竹山县| 宜昌市| 丰都县| 安西县| 克什克腾旗| 车险| 通化市| 兰西县| 南汇区| 双辽市| 永吉县| 鄯善县| 工布江达县| 武川县| 连州市| 明光市| 勐海县| 大新县|