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參數資料
| 型號： | FZTA63 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | FZTA63 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 4 MARCH 1996
%
PARTMARKING DETAILS:
FULL DEVICE TYPE
COMPLIMENTARY TYPES:
FZTA63 = FZTA13
FZTA64 = FZTA14
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
BM
P
tot
T
j
:T
stg
-30
V
Collector-Emitter Voltage
-30
V
Emitter-Base Voltage
-10
V
Peak Pulse Current
-800
mA
Continuous Collector Current
-500
mA
Peak Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-30
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-30V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-10V, I
C
=0
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-1.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-2.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
FZTA63
FZTA64
h
FE
5K
10K
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
10K
20K
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
Transition
Frequency
f
T
125
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=20MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FZTA63
FZTA64
SOT223
2
1
3
4
3 - 303
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G0100RR | Special Function Video Processor |
| G105 | SIDAC|113V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
| G120 | SIDAC|125V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
| G130 | SIDAC|135V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
| G220 | SIDAC|230V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZTA63TA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZTA63TC | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZTA64 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
| FZTA64TA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZTA64TC | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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