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參數資料
| 型號： | FZTA92 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | FZTA92 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 JANUARY 1996
%
FEATURES
*
High breakdown voltage
APPLICATIONS
*
Suitable for video output stages in TV sets
and switch mode power supplies
COMPLIMENTARY TYPE
PARTMARKING DETAIL
FZTA42
DEVICE TYPE IN FULL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
B
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-300
V
Collector-Emitter Voltage
-300
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Base Current
-100
mA
Continuous Collector Current
-500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-300
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-300
V
I
C
=-1mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.25
μ
A
V
CB
=-200V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-3V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
40
25
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-30mA, V
CE
=-10V*
Transition
Frequency
f
T
50
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
6
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.
FZTA92
C
C
E
B
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PDF描述 |
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參數描述 |
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