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GA060TH65-227SP

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GA060TH65-227SP 技術參數(shù)

GA060TH65 功能描述:MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效結(jié)構(gòu):單一 SCR 數(shù)，二極管:1 SCR 電壓 - 斷態(tài):6500V 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:100mA 電流 - 通態(tài)（It（AV））（最大值）:60A 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:104A 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:- 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 安裝類型:* 封裝/外殼:SOT-227-2 標準包裝:10 GA05JT12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 15A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:106W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:50 GA05JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1200V 5A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 5A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:106W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AB 標準包裝:30 GA05JT03-46 功能描述:TRANS SJT 300V 9A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 5A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:20W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-46-3 供應商器件封裝:TO-46 標準包裝:200 GA05JT01-46 功能描述:TRANS SJT 100V 9A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 5A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:20W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-46-3 供應商器件封裝:TO-46 標準包裝:200 GA080TH65 GA080TH65-227SP GA0876 GA0876M GA08JT17-247 GA100-001PD GA100-005WD GA100-010WD GA100-015WD GA1006 GA100JT12-227 GA100JT17-227 GA100K6A1A GA100K6A1B GA100K6A1IA GA100K6MBD1 GA100K6MCD1 GA100SBJT12-FR4