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GA243DR7E2473MW01L

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

GA243DR7E2473MW01L
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
215610
muRata(村田)
1812
2025+
-

GA243DR7E2473MW01L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
MURATA/村田
SMD
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

GA243DR7E2473MW01L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

GA243DR7E2473MW01L
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
1000
MURATA
價格優勢
2422
-
全新原裝渠道現貨

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GA243DR7E2473MW01L PDF下載

功能描述
多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT .047uF 250Volts 20%
RoHS
否
制造商
American Technical Ceramics (ATC)
電容
10 pF
容差
1 %
電壓額定值
250 V
溫度系數/代碼
C0G (NP0)
外殼代碼 - in
0505
外殼代碼 - mm
1414
工作溫度范圍
- 55 C to + 125 C
產品
Low ESR MLCCs
封裝
Reel

GA243DR7E2473MW01L 技術參數

GA243DR7E2472MW01L 功能描述:4700pF 250VAC 陶瓷電容器 X7R 1812（4532 公制） 0.177" 長 x 0.125" 寬（4.50mm x 3.20mm）制造商:murata electronics north america 系列:GA2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:4700pF 容差:±20% 電壓 - 額定:250VAC 溫度系數:X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:SMPS 過濾器等級:- 封裝/外殼:1812（4532 公制）大小/尺寸:0.177" 長 x 0.125" 寬（4.50mm x 3.20mm）高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.059"（1.50mm）引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標準包裝:1 GA242QR7E2102MW01L 功能描述:1000pF 250VAC 陶瓷電容器 X7R 1808（4520 公制） 0.177" 長 x 0.079" 寬（4.50mm x 2.00mm）制造商:murata electronics north america 系列:GA2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:1000pF 容差:±20% 電壓 - 額定:250VAC 溫度系數:X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:SMPS 過濾器等級:- 封裝/外殼:1808（4520 公制）大小/尺寸:0.177" 長 x 0.079" 寬（4.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm）厚度（最大值）:- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標準包裝:1 GA20SICP12-263 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態:有效類型:- 配置:- 電流:20A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 標準包裝:50 GA20JT12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 45A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 20A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3091pF @ 800V 功率 - 最大值:282W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:50 GA20JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 20A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:282W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AB 標準包裝:30 GA-311 GA342A1XGD270JW31L GA342A1XGD330JW31L GA342A1XGD390JW31L GA342A1XGD470JW31L GA342A1XGD560JW31L GA342A1XGD680JW31L GA342A1XGD820JW31L GA342A1XGF270JW31L GA342A1XGF330JW31L GA342A1XGF390JW31L GA342A1XGF470JW31L GA342A1XGF560JW31L GA342A1XGF820JW31L GA342D1XGD100JY02L GA342D1XGD120JY02L GA342D1XGD150JY02L GA342D1XGD180JY02L