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GAPM4435

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  • Mini size of Discrete semiconductor elements
GAPM4435 技術(shù)參數(shù)
  • GAP3SLT33-220FP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV） 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 300mA 速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:0ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3300V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:42pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 GAP3SLT33-214 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV） 電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 300mA 速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:0ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3300V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:42pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AA 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GAP05SLT80-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:8000V（8kV） 電流 - 平均整流（Io）:50mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:4.6V @ 50mA 速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:0ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3.8μA @ 8000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 GAN FET BOOK-WIPO 功能描述:TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK 制造商:epc 系列:- 零件狀態(tài):過期 配件類型:導(dǎo)軌 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSION 功能描述:TEXT GAN TRANSISTORS 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 GATELEAD2387XPSA1 GATELEAD28128HPSA1 GATELEAD28129HPSA1 GATELEAD28133HPSA1 GATELEAD28489HPSA1 GATELEAD30258HPSA1 GATELEAD30406HPSA1 GATELEADL500G2K2XPSA1 GATELEADL500PB20G1KXPSA1 GATELEADL500PB34602XPSA1 GATELEADL500PB34701XPSA1 GATELEADL75005MPXPSA1 GATELEADL75008HPXPSA1 GB CS8PM1.13-GZHX-35-0-350-R18 GB CS8PM1.13-HXHY-35 GB CS8PM1.13-HYHZ-35 GB CSHPM1.13-GZHX-35-0-350-R18 GB CSHPM1.13-HXHY-35
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