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GBU803 D2G

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GBU803 D2G 技術參數

GBU6J 功能描述:DIODE BRIDGE 600V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:6A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-SIP，GBU 供應商器件封裝:GBU 標準包裝:500 GBU6B 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:100V 電流 - DC 正向（If）:6A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-SIP，GBU 供應商器件封裝:GBU 標準包裝:500 GBU610TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:單相技術:標準電壓 - 峰值反向（最大值）:1kV 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:4-ESIP 供應商器件封裝:GBU 標準包裝:20 GBU610GTB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:單相技術:標準電壓 - 峰值反向（最大值）:1kV 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:4-ESIP 供應商器件封裝:GBU 標準包裝:20 GBU606TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:單相技術:標準電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:4-ESIP 供應商器件封裝:GBU 標準包裝:20 GBU806 GBU806 D2G GBU806-G GBU806GTB GBU806HD2G GBU806TB GBU807 D2G GBU807HD2G GBU808 GBU808-G GBU808GTB GBU808TB GBU810 GBU810-G GBU810GTB GBU810TB GBU8A GBU8A-BP