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GJSD1804

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  • 制造商
  • GTM
  • 制造商全稱
  • GTM
  • 功能描述
  • NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
GJSD1804 技術參數
  • GJM15-KIT-DE-2 功能描述:KIT CAP 5.1-47PF HIQ 0402 制造商:murata electronics north america 系列:GJM 包裝:活頁夾 零件狀態:有效 套件類型:陶瓷 電容:5.1pF ~ 47pF 電壓 - 額定:50V 容差:±0.1pF, ±5% 應用:RF,微波,高頻 特性:高 Q 值,低損耗 數量:1260 件(每個值各 20 件) 安裝類型:表面貼裝 包括封裝:0402(1005 公制) 標準包裝:1 GJM15-KIT-DE-1 功能描述:KIT CAP 0.1-5.0PF HIQ 0402 制造商:murata electronics north america 系列:GJM 包裝:活頁夾 零件狀態:有效 套件類型:陶瓷 電容:0.1pF ~ 5pF 電壓 - 額定:50V 容差:±0.1pF 應用:RF,微波,高頻 特性:高 Q 值,低損耗 數量:1000 件(每個值各 20 件) 安裝類型:表面貼裝 包括封裝:0402(1005 公制) 標準包裝:1 GJM1555C1HR90WB01D 功能描述:0.90pF 50V 陶瓷電容器 C0G,NP0 0402(1005 公制) 0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 制造商:murata electronics north america 系列:GJM 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:0.90pF 容差:±0.05pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:RF,微波,高頻 等級:- 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 特性:高 Q 值,低損耗 引線形式:- 標準包裝:1 GJM1555C1HR90BB01D 功能描述:0.90pF 50V 陶瓷電容器 C0G,NP0 0402(1005 公制) 0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 制造商:murata electronics north america 系列:GJM 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:0.90pF 容差:±0.1pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:RF,微波,高頻 等級:- 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 特性:高 Q 值,低損耗 引線形式:- 標準包裝:1 GJM1555C1HR80WB01D 功能描述:0.80pF 50V 陶瓷電容器 C0G,NP0 0402(1005 公制) 0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 制造商:murata electronics north america 系列:GJM 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:0.80pF 容差:±0.05pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:RF,微波,高頻 等級:- 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 特性:高 Q 值,低損耗 引線形式:- 標準包裝:1 GK20M GK-31732-000 GK3LA-P11 GK-4-32SL GK60.00BE GKBA14L6 GKBA16L6 GKBA1L7 GKBA2K1-C GKBC1L7 GKG10015 GKG10016 GKG10021 GKG10024 GKG10066-07 GKG10067-07 GKG10068-07 GKG10086
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