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GL128N10FAE02

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GL128N10FAE02 技術(shù)參數(shù)
  • GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:11μH 容差:±10% 額定電流:115mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:7 歐姆 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.182"?長(zhǎng) x 0.072" 方椎體（4.62mm x 1.83mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，無(wú)引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝，直角 封裝/外殼:2-SMD，無(wú)引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，無(wú)引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝，直角 封裝/外殼:2-SMD，無(wú)引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GL130F23CDT GL130F23CET GL130F23IDT GL130F23IET GL130F33CDT GL130F33CET GL130F33IDT GL130F33IET GL130F35CDT GL130F35CET GL130F35IDT GL130F35IET GL135F23CDT GL135F23CET GL135F23IDT GL135F23IET GL135F33CDT GL135F33CET
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