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GP1M016A025CG

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • GP1M016A025CG
    GP1M016A025CG

    GP1M016A025CG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • GPTG

  • NA

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • GP1M016A025CG
    GP1M016A025CG

    GP1M016A025CG

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 12500

  • GLOBAL PO

  • 帶卷（TR）

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
GP1M016A025CG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
  • 制造商
  • global power technologies group
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 停產
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 250V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 16A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 240 毫歐 @ 8A， 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 19nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 944pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 93.9W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝
  • D-Pak
  • 標準包裝
  • 1
GP1M016A025CG 技術參數
  • GP1M015A050FH 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2263pF @ 25V 功率 - 最大值:53W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP1M013A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1918pF @ 25V 功率 - 最大值:183W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP1M012A060H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2308pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP1M011A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 5.5A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1423pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP1M011A050FH 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 5.5A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1423pF @ 25V 功率 - 最大值:51.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP1M018A020HG GP1M018A020PG GP1M020A050N GP1M020A060M GP1M020A060N GP1M023A050N GP1S036HEZ GP1S092HCPI GP1S092HCPIF GP1S093HCZ GP1S093HCZ0F GP1S094HCZ GP1S094HCZ0F GP1S096HCZ GP1S096HCZ0F GP1S097HCZ GP1S097HCZ0F GP1S173LCS2F
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