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GP2M005A060PG

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GP2M005A060PGH
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
GPTG
NA
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GP2M005A060PGH
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
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GP2M005A060PG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

GP2M005A060PG 技術參數

GP2M005A060HG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP2M005A060FG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:32.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2M005A060CG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 GP2M005A050PG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:645pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:1 GP2M005A050CG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:645pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 GP2M009A090FG GP2M009A090NG GP2M010A060F GP2M010A060H GP2M010A065F GP2M010A065H GP2M011A090NG GP2M012A060F GP2M012A060H GP2M012A080NG GP2M013A050F GP2M020A050F GP2M020A050H GP2M020A050N GP2M020A060N GP2M023A050N GP2S24 GP2S24ABJ00F