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GP2S24BJOOOF

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GP2S24BJOOOF 技術參數

GP2S24BJ000F 功能描述:PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期感應距離:0.028"（0.7mm）感應方法:反射電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - DC 正向（If）:50mA 輸出類型:光電晶體管響應時間:20μs，20μs 安裝類型:通孔封裝/外殼:PCB 安裝工作溫度:-25°C ~ 85°C 標準包裝:50 GP2S24BCJ00F 功能描述:PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期感應距離:0.028"（0.7mm）感應方法:反射電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - DC 正向（If）:50mA 輸出類型:光電晶體管響應時間:20μs，20μs 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD 工作溫度:-25°C ~ 85°C 標準包裝:50 GP2S24 功能描述:PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期感應距離:0.031"（0.8mm）感應方法:反射電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - DC 正向（If）:50mA 輸出類型:光電晶體管響應時間:20μs，20μs 安裝類型:通孔封裝/外殼:PCB 安裝工作溫度:-25°C ~ 85°C 標準包裝:50 GP2M020A060N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3184pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M020A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 9A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP2S40J0000F GP2S40JJ000F GP2S60 GP2S60A GP2S60B GP2S700HCP GP2W0004XP GP2W0004XP0F GP2W0004YP GP2W0004YP0F GP2W0110YPS GP2W0110YPSF GP2W0112YP GP2W0112YP0F GP2W0114YP0F GP2W0114YPS GP2W0116YP0F GP2W0116YPS