欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<ul id="gaq2w"></ul>

<strike id="gaq2w"></strike>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > G字母型號搜索 > G字母第602頁 >

GP2S24

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共64條
上一頁 1 2

您是不是要找： GP2S24ABJ00F GP2S24BCJ00F GP2S24BJ000F GP2S24CJ000F GP2S24J0000F GP2S27T GP2S27T2J00F GP2S27T3J00F GP2S27T6J00F

GP2S24 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

GP2S24 PDF下載

功能描述
PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP
RoHS
否
類別
傳感器，轉換器 >> 光學 - 反射式 - 模擬輸出
系列
-
產品變化通告
Product Discontinuation 03/Dec/2009
標準包裝
50
系列
-
檢測距離
0.157" (4mm)
檢測方法
反射
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
30V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
-
電流 - DC 正向(If)
50mA
輸出類型
光電晶體管
響應時間
10µs，50µs
安裝類型
通孔
封裝/外殼
PCB 安裝
包裝
散裝
工作溫度
-40°C ~ 85°C

GP2S24 技術參數

GP2M020A060N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3184pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M020A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 9A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP2M013A050F 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1798pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2M012A080NG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3370pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M012A060F 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1890pF @ 25V 功率 - 最大值:53.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2S27TJ000F GP2S28 GP2S40 GP2S40J0000F GP2S40JJ000F GP2S60 GP2S60A GP2S60B GP2S700HCP GP2W0004XP GP2W0004XP0F GP2W0004YP GP2W0004YP0F GP2W0110YPS GP2W0110YPSF GP2W0112YP GP2W0112YP0F GP2W0114YP0F