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參數資料
| 型號： | GA200A |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | SCRs Nanosecond Switching, Planar |
| 中文描述： | 0.314 A, 60 V, SCR, TO-18 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | GA200A |
1
GA200HS60S
Bulletin I27121 rev. B 07/02
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.19V @
V
GE
= 15V, I
C
= 200A
T
J
= 25°C
"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAK
Standard Speed IGBT
Absolute Maximum Ratings
V
CES
Collector-to-Emitter Voltage
600
V
I
C
Continuos Collector Current
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 110°C
470
A
200
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
Pulsed Collector Current
Peak Switching Current
Gate-to-Emitter Voltage
RMS Isolation Voltage, Any Terminal to Case, t = 1 min
800
800
± 20
2500
V
P
D
Maximum Power Dissipation
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 85°C
830
W
430
Parameters
Max
Units
Generation 4 IGBT Technology
Standard speed: optimized for hard switching
operating frequencies up to 1000 Hz
Very Low Conduction Losses
Industry standard package
Features
Increased operating efficiency
Direct mounting to heatsink
Performance optimized as output nverter stage
for TIG welding machines
Benefits
INT-A-PAK
www.irf.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GA201TXR1ZZ | Optical disk devices for RF signal detection |
| GA201 | SCRs Nanosecond Switching, Planar |
| GA201A | SCRs Nanosecond Switching, Planar |
| GA202TXV1SZ | Optical disk devices for RF signal detection |
| GA202TXV2SZ | Optical disk devices for RF signal detection |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GA200HS60S | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| GA200HS60S1 | 功能描述:IGBT 模塊 200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| GA200HS60S1PBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 480A 600V INT-A-PAK |
| GA200NS61U | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High Side Switch Chopper Module Ultra-Fast Speed IGBT |
| GA200SA60S | 功能描述:IGBT STD 600V 100A SOT227 RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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