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參數資料
| 型號： | GFD30N03 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 40A條（丁）|對252AA |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | GFD30N03 |
GFD30N03
Vishay Semiconductor
Document Number 74557
10-Dec-01
www.vishay.com
1
New Product
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
T
RENCH
G
EN
F
ET
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
±
20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
(1)
I
D
43
A
I
DM
120
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
P
D
44.5
17.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
°C
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
(2)
R
θ
JC
2.8
°C/W
R
θ
JA
50
Note:
(1) Pulse width limited by maximum junction temperature
(2) 1-in
2
2oz. Cu PCB mounted
V
DS
30V
R
DS(ON)
15
m
I
D
43A
Features
Advanced Trench Process Technology
High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance
Specially Designed for Low Voltage DC/DC Converters
Fast Switching for High Efficiency
Mechanical Data
Case:
JEDEC TO-252 molded plastic body
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
Weight:
0.011oz., 0.4g
0.190
(4.826)
0.243
(6.172)
0.063
(1.6)
0.165
(4.191)
0.100
(2.54)
0.118
(3.0)
0.245 (6.22)
0.235 (5.97)
0.040 (1.02)
0.025 (0.64)
0.410 (10.41)
0.380 (9.65)
0.170 (4.32) min.
0.214 (5.44)
0.206 (5.23)
D
0.265 (6.73)
0.255 (6.48)
0.023 (0.58)
0.018 (0.46)
0.094 (2.39)
0.087 (2.21)
0.204 (5.18)
0.156 (3.96)
0.197 (5.00)
0.177 (4.49)
0.035 (0.89)
0.028 (0.71)
G
S
0.023 (0.58)
0.018 (0.46)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.009 (0.23)
0.001 (0.03)
0.0min.
0.060 (1.52)
0.045 (1.14)
0.050 (1.27)
0.035 (0.89)
TO-252 (DPAK)
Dimensions in inches
and (millimeters)
Mounting Pad Layout
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GFD35N03 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-252AA |
| GFD50N03 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-252AA |
| GFD50N03A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 78A I(D) | TO-252AA |
| GFD55N03 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA |
| GFE1300-547 | PACKAGED LAMP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GFD30N03\27K | 功能描述:MOSFET TO-252 N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GFD3404-582 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:Fiber Optic Products |
| GFD3500-002 | 功能描述:光纖發射器、接收器、收發器 FIBER OPTIC PRODUCTS RoHS:否 制造商:Omron Electronics 產品:Transmitters 數據速率:3.5 Gbps 波長:850 nm 最大工作溫度: 最小工作溫度: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| GFD3500-002-AAA | 功能描述:光纖發射器、接收器、收發器 FIBER OPTIC PRODUCTS RoHS:否 制造商:Omron Electronics 產品:Transmitters 數據速率:3.5 Gbps 波長:850 nm 最大工作溫度: 最小工作溫度: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| GFD3500-002-ABA | 功能描述:光纖發射器、接收器、收發器 FIBER OPTIC PRODUCTS RoHS:否 制造商:Omron Electronics 產品:Transmitters 數據速率:3.5 Gbps 波長:850 nm 最大工作溫度: 最小工作溫度: 封裝 / 箱體: 封裝: |
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