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參數資料
型號: GM1188
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述: 進步黨硅外延晶體管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 369K
代理商: GM1188
CORPORATION
P
P
N
N
P
P
S
S
I
I
L
L
I
I
C
C
O
O
N
N
E
E
P
P
I
I
T
T
A
A
X
X
I
I
A
A
L
L
T
T
R
R
A
A
N
N
S
S
I
I
S
S
T
T
O
O
R
R
1/2
ISSUED DATE :2005/07/19
REVISED DATE :2005/10/19B
G
G
M
M
1
1
1
1
8
8
8
8
Description
The GM1188 is designed for medium power amplifier applications.
Features
Low collector saturation voltage : V
CE(sat)
=-0.5V(Typ.)
Complementary pair with GM1766
Package Dimensions
Millimeter
Min.
4.4
4.05
1.50
1.30
2.40
0.89
Millimeter
Min.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40
1.40
0.35
5
q
TYP.
0.70 REF.
REF.
Max.
4.6
4.25
1.70
1.50
2.60
1.20
REF.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
0.52
1.60
0.41
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
*When mounted on a 40x40x0.7mm ceramic board.
Electrical Characteristics
(Ta = 25
к
,unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
BV
CBO
-40
BV
CEO
-32
BV
EBO
-5
I
CBO
-
I
EBO
-
*V
CE(sat)
-
-500
*h
FE
82
fT
-
Cob
-
к
Symbol
Tj
Tstg
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
Ratings
+150
-55~+150
-40
-32
-5
-2
0.5 (2.0*)
Unit
V
V
V
A
W
Max.
-
-
-
-1
-1
-800
390
-
-
Unit
V
V
V
uA
uA
mV
MHz
pF
Test Conditions
-
-
-
-
-
I
C
=-50uA , I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
E
=-50uA ,I
C
=0
V
CB
=-20V, I
E
=0
V
EB
=-4V, I
C
=0
I
C
=-2A, I
B
=-200mA
V
CE
=-3V, I
C
=-500mA
V
CE
=-5V, I
C
=-500mA, f=30MHz
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width
-
150
50
380
s, Duty Cycle
2%
Classification Of h
FE
Rank
Range
P
Q
R
82 ~ 180
120 ~ 270
180 ~ 390
SOT-89
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