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參數資料
| 型號： | GN01087B |
| 英文描述： | GaAsデバイス － GaAs MMIC － ローノイズアンプ |
| 中文描述： | 砷化鎵デバイス-砷化鎵微波單片集成電路-ローノイズアンプ |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | GN01087B |
GaAs MMICs
GN01010
(GN1010)
GaAs N-Channel MES IC
1
For high-output high-gain amplification
I
Features
General-use wide-band amplifier
Low noise
With bandwidth control pin
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
2.9
+0.2
0.16
+0.1
0
±
0.4
+0.1
1
+
–
1
+
–
2
+
–
1.9
±0.1
5
°
7
°
(1.45)
(0.8)
(
(0.95)
(0.95)
0
3
4
2
1
R(0.5)
1: Source
2: Drain
3: C
4: Gate
Minii4-G2 Type Package
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Power supply voltage
V
DS
V
GS
6
V
4
V
Drain current
I
D
I
G
P
D
45
mA
Gate current
3
mA
Allowable power dissipation
200
mW
Channel temperature
T
ch
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain current
*1
I
DD
NF
V
DS
=
3 V
V
DS
=
3 V, f
=
0.5 GHz
V
DS
=
3 V, f
=
1.8 GHz
V
DS
=
3 V, f
=
0.5 GHz
V
DS
=
3 V, f
=
1.8 GHz
V
DS
=
3 V, f
=
0.5 GHz
V
DS
=
3 V, f
=
1.8 GHz
5
30
45
mA
Noise figure
*2
2
3
dB
Power gain
*2
PG
5
10
dB
9
I
dB
compression output
*2
P
O
8
15
dB
Equivalent Circuit
1
4
3
2
Note)*1: I
DD
rank classification
*2: NF, PG, P
O
test circuit
Rank
P
Q
R
I
DD
(mA)
5 to 20
15 to 30
25 to 45
V
D
C
C
C
=
1
000 pF
C
C
=
200 pF
C
f
=
27 pF
C
C
C
f
C
C
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| GN01125B | Amplifier. Other |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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