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參數(shù)資料
| 型號： | GP1S093HCZ0F |
| 廠商： | Sharp Microelectronics |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| 標準包裝： | 100 |
| 檢測距離： | 0.079"（2mm） |
| 檢測方法： | 可傳導(dǎo)的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 35V |
| 響應(yīng)時間： | 50µs，50µs |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 管件 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -25°C ~ 85°C |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 425-1963-5 |
3
Sheet No.: D3-A00401EN
GP1S093HCZ0F
?SPAN class="pst GP1S093HCZ0F_2587089_4">Absolute Maximum Ratings
?SPAN class="pst GP1S093HCZ0F_2587089_4">Electro-optical Characteristics
(T
a
=
25贑 )
Parameter
Symbol Rating Unit
Input
Forward current
I
F
50 mA
Reverse voltage
V
R
6
V
Power dissipation
P
75 mW
Output
Collector-emitter voltage
V
CEO
35
V
Emitter-collector voltage
V
ECO
6
V
Collector current
I
C
20 mA
Collector power dissipation P
C
75 mW
Total power dissipation
P
tot
100 mW
Operating temperature
T
opr
25 to +85 贑
Storage temperature
T
stg
40 to
+
100 贑
1
Soldering temperature
T
sol
260 贑
1 For 5s or less
(T
a
=
25贑 )
Parameter
Symbol
Condition
MIN. TYP. MAX. Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
F
=20mA
1.2 1.4 V
Reverse current
I
R
V
R
=
3V
10
?/DIV>
A
Output Collector dark current
I
CEO
V
CE
=20V
100 nA
Transfer
charac-
teristics
Collector current
I
C
V
CE
=5V, I
F
=5mA
100 400 糀
Collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
I
F=
10mA, I
C=
40
?/DIV>
A
0.4 V
Response time
Rise time t
r
V
CE
=5V, I
C
=100糀, R
L
=1k?/DIV>
50 150 約
Fall time t
f
50 150
?/DIV>
s
1mm or more
Soldering area
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1S094HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| GP1S096HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU |
| GP1S097HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
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| GP1S51VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GP1S094HCZ0F | 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter 3.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| GP1S096HCZ | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S096HCZ0F | 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 1.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
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