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參數資料
| 型號： | GP1S51VJ000F |
| 廠商： | Sharp Microelectronics |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| 產品變化通告： | Internal Chip Change 04/May/2007 |
| 標準包裝： | 100 |
| 檢測距離： | 0.118"（3mm） |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： | 35V |
| 響應時間： | 3µs，4µs |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 散裝 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -25°C ~ 85°C |
| 產品目錄頁面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 425-1970-5 |
8
Sheet No.: D3-A02401EN
GP1S51VJ000F
?SPAN class="pst GP1S51VJ000F_2587080_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 4mm or more from the top of elements.
(Example)
4mm or more
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photocouplers will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Parts
This product is assembled using the below parts.
" Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor Silicon (Si)
800
400 to 1 200
3
" Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
" Material
Case
Lead frame plating
Black NORYL resin Solder dip. (Sn3Ag0.5Cu)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1S52VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| GP1S53VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
| GP1S560J000F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S56TJ000F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S58VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GP1S52 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| GP1S522 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| GP1S525V | 功能描述:PHOTOINTERRUPT HORIZ SLOT PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S525VJ00F | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:PHOTOINTERRUPTER HORZ SLIT WIDTH - Bulk |
| GP1S525XJ00F | 功能描述:SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU RoHS:是 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
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