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參數資料
| 型號： | GP1S53VJ000F |
| 廠商： | Sharp Microelectronics |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
| 產品變化通告： | Internal Chip Change 04/May/2007 |
| 標準包裝： | 100 |
| 檢測距離： | 0.197"（5mm） |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： | 35V |
| 響應時間： | 3µs，4µs |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 4-DIP |
| 包裝： | 散裝 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -25°C ~ 85°C |
| 產品目錄頁面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 425-1972 425-1972-5 425-1972-5-ND |
5
Sheet No.: D2-A02601EN
GP1S53VJ000F
Fig.5 Collector Current vs.
Forward Current
Fig.6 Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
Fig.3 Peak Forward Current vs.
Duty Ratio
Fig.4 Forward Current vs.
Forward Voltage
Duty ratio
100
10
10
2
10
1
1 000
Pulse widthd100約
T
a
=25贑
1
Foward voltage V
F
(V)
100
10
1
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25贑
0贑
25贑
50贑
T
a
=75贑
Forward current I
F
(mA)
0
0
V
CE
=5V
T
a
=25贑
5
4
3
2
1
10 20 30 40 50
Collector-emitter V
CE
(V)
7 8 9 10
6
5
4
3
2
1
0
0
5
4
3
2
1
I
F
=50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
T
a
=25贑
Fig.1 Forward Current vs. Ambient
Temperature
Fig.2 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Ambient temperature T
a
(贑)
25 0 25 50 75 85 100
0
10
20
30
40
50
60
Ambient temperature T
a
(贑)
25 0 25 50 75 85 100
0
20
40
60
80
100
120
75
15
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1S560J000F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S56TJ000F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S58VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| GP1S55 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Compact, High Sensing Accuracy Narrow Gap Type Photointerrupter |
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| GP1S560 | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
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