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參數資料
型號: GP1S56TJ000F
廠商: Sharp Microelectronics
文件頁數: 8/12頁
文件大小: 152K
描述: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
產品變化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
標準包裝: 100
檢測距離: 0.079"(2mm)
檢測方法: 可傳導的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): 35V
響應時間: 38µs,48µs
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 管件
類型: 無放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
產品目錄頁面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 425-1974-5
8
Sheet No.: D2-A02701EN
GP1S56TJ000F
?SPAN class="pst GP1S56TJ000F_2587076_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 3mm or more from the top of elements.
(Example)
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photocouplers will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Parts
This product is assembled using the below parts.
  " Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor   Silicon (Si)
800
400 to 1 200
3
  " Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
  " Material
Case
Lead frame plating
Black noryl resin
Solder dip. (Sn3Ag0.5Cu)
3.0mm or more
相關PDF資料
PDF描述
GP1S58VJ000F SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU
GP1S59J0000F SENSR OPTO SLOT 4.2MM TRANS THRU
GP1S74PJ000F SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS CONN
HMC1001-RC SENSOR LINEAR MAGN 1 AXIS 8-SIP
HMC1021D IC SENSOR MAGN HI TEMP CER 8DIP
相關代理商/技術參數
參數描述
GP1S58 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:COMPACT POTOINTERRUPTER
GP1S58V 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):35V 響應時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1S58VJ000F 功能描述:光學開關(透射型,光電晶體管輸出) Photointerrupter Transmissive 5mm RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
GP1S59 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 4.2MM PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):35V 響應時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1S59J0000F 功能描述:光學開關(透射型,光電晶體管輸出) Photointerrupter Trans Hi res RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
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