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參數(shù)資料
型號(hào): GP1S58VJ000F
廠商: Sharp Microelectronics
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大小: 183K
描述: SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU
產(chǎn)品變化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 100
檢測(cè)距離: 0.197"(5mm)
檢測(cè)方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 35V
響應(yīng)時(shí)間: 3µs,4µs
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 散裝
類(lèi)型: 無(wú)放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng): 425-1975-5
8
Sheet No.: D2-A02702EN
GP1S58VJ000F
?SPAN class="pst GP1S58VJ000F_2586143_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 4mm or more from the top of elements.
(Example)
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photocouplers will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Parts
This product is assembled using the below parts.
  " Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor   Silicon (Si)
800
400 to 1 200
3
  " Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
  " Material
Case
Lead frame plating
Black NORYL resin    Solder dip. (Sn3Ag0.5Cu)
4mm or more
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1S59J0000F SENSR OPTO SLOT 4.2MM TRANS THRU
GP1S74PJ000F SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS CONN
HMC1001-RC SENSOR LINEAR MAGN 1 AXIS 8-SIP
HMC1021D IC SENSOR MAGN HI TEMP CER 8DIP
HMC1042L-TR 2-AXIS MAG SENSOR 16 PIN LCC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GP1S59 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 4.2MM PCB RoHS:否 類(lèi)別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類(lèi)型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱(chēng):425-1978-5
GP1S59J0000F 功能描述:光學(xué)開(kāi)關(guān)(透射型,光電晶體管輸出) Photointerrupter Trans Hi res RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
GP1S72P 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
GP1S73 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:Compact Photointerrupter with Connector
GP1S73P 功能描述:PHOTOINTERRUPT SLOT 5.0MM W/CONN RoHS:否 類(lèi)別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類(lèi)型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱(chēng):425-1978-5
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