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參數資料
| 型號： | GP2L26C |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | GP2L26C |
GP2L09/GP2L24/GP2L26
Subminiature, High Sensitivity
Photointerrupter
I
Outline Dimensions
(Unit : mm )
I
Features
1. Compact and thin
GP2L09
: Compact DIP, long lead type
GP2L24
: Compact DIP type
GP2L26
: Flat lead type
I
Applications
1. Cassette tape recorders, VCRs
2. Floppy disk drives
3. Various microcomputerized control equip-
ment
2. Optimum detection distance: 0.6 to 0.8mm
3. High sensitivity
(I
C
: MIN. 0.5mA at I
F
= 4mA)
4. Visible light cut-off type
C0.7
GP2L09
±
0.2
±
15
1
1.75
2
0
θ
4
3
±
15
0
C0.7
1
1
1.75
2
4
GP2L24
3
θ
±
0.2
0
C0.7
GP2L26
1
±
±
20
1
2
4
3
1
4
2
3
±
1
±
1
(
(4.0)
( )
:
Reference dimensions
The dimensions indicated by
C
refer
to those measured from the lead base.
( )
:
Reference dimensions
The dimensions indicated by
to those measured from the lead base.
C
refer
(
(4.0)
1 Anode
2 Emitter
3 Collector
4 Cathode
Internal connection diagram
(Common to 3 models)
(
( )
:
Reference dimensions
1.75
4
-
(0.6)
GP2L09/GP2L24
GP2L26
(
Tolerance
:±
0.15mm
(
Tolerance
:±
0.15mm
(
Tolerance
:±
0.15mm
data books, etc. Contact SHARP in order to obtain the latest version of the device specification sheets before using any SHARP's device.
”
“
In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that occur in equipment using any of SHARP's devices, shown in catalogs,
θ
:
0 to 20
θ :
0 to 20
C
4.0
3.0
+
0
1
C
4.0
3.0
+
4
-
0.5
+
-
0.2
4.0
+
-
0.2
-
0.2
4
-
0.2
+
0.3
-
0
4
-
0.4
+
0.2
-
0.1
4
-
0.15
+
-
0.2
4.0
+
0.2
-
0.1
-
0.2
3
+
1
-
4.0
+
-
0.2
0.4
+
-
0.2
0
+
0
-
3.0
+
-
0.2
13.0
±
1.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GP2M002A060FG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 |
| GP2M004A060PG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 25V 功率 - 最大值:86.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:1 |
| GP2M004A065FG | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:642pF @ 25V 功率 - 最大值:32.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 |
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