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參數資料
| 型號： | GS72108ATP-8I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 8 2Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 256K × 8的2Mb異步SRAM |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | GS72108ATP-8I |
GS72108ATP/J
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 10/2004
7/12
2001, GSI Technology
Read Cycle 2: WE = V
IH
* These parameters are sampled and are not 100% tested.
Write Cycle
Parameter
Symbol
-7
-8
-10
-12
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write cycle time
tWC
7
—
8
—
10
—
12
—
ns
Address valid to end of write
tAW
5
—
5.5
—
7
—
8
—
ns
Chip enable to end of write
tCW
5
—
5.5
—
7
—
8
—
ns
Data set up time
tDW
3.5
—
4
—
5
—
6
—
ns
Data hold time
tDH
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write pulse width
tWP
5
—
5.5
—
7
—
8
—
ns
Address set up time
tAS
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (WE)
tWR
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (CE)
tWR1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Output Low Z from end of write
tWLZ
*
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Write to output in High Z
tWHZ
*
—
3
—
3.5
—
4
—
5
ns
t
AA
t
RC
Address
t
AC
t
LZ
t
OE
t
OLZ
CE
OE
Data Out
t
HZ
t
OHZ
D
ATA
VALID
High impedance
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PDF描述 |
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