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參數(shù)資料
| 型號： | GS816218B-133 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 3/41頁 |
| 文件大小： | 980K |
| 代理商： | GS816218B-133 |
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Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
3/41
1999, GSI Technology
GS816272 BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
DQ
E
DQ
F
DQ
G
DQ
H
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs.
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
B
A
, B
B
, B
C
,B
D,
B
E
, B
F
, B
G
,B
H
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D,
DQ
E
,
DQ
F
, DQ
G
, DQ
H
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
NC
CK
—
I
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E
1,
E
3
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
SCD
I
Single Cycle Deselect/Dual Cycle Deselect Mode Control
MCH
I
Must Connect High
MCL
Must Connect Low
BW
I
Byte Enable; active low
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low Drive])
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816218B-133I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218B-150 | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218B-150I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218B-166 | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218B-166I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816218BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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