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參數資料
| 型號： | GS816218B-225 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FBGA-119 |
| 文件頁數： | 15/41頁 |
| 文件大小： | 980K |
| 代理商： | GS816218B-225 |
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GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
15/41
1999, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
W
CR
CW
X
X
W
W
X
X
X
CR
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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