- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385315 > GS816218B (GSI TECHNOLOGY) 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS816218B |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 100萬× 18，為512k × 36，256 × 72 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/41頁 |
| 文件大小： | 980K |
| 代理商： | GS816218B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當(dāng)前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁
Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
8/41
1999, GSI Technology
GS816218/36 BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
B
A
, B
B
, B
C
, B
NC
CK
BW
GW
E
1
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
SCD
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
PE
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
Scan Test Clock
I
Parity Bit Enable; active low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816218D-166I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-200 | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-200I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-225 | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-225I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816218BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816218BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。