欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào)： GS816218BGD-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 13/37頁(yè)
文件大小： 866K
代理商： GS816218BGD-200I
Absolute Maximum Ratings
(All voltages reference to V
SS
)
Symbol
V
DD
V
DDQ
V
I/O
V
IN
I
IN
I
OUT
P
D
T
STG
Description
Voltage on V
DD
Pins
Voltage in V
DDQ
Pins
Value
Unit
–
0.5 to 4.6
V
–
0.5 to 4.6
V
Voltage on I/O Pins
–
0.5 to V
DDQ
+0.5
–
0.5 to V
DD
+0.5
V
Voltage on Other Input Pins
V
Input Current on Any Pin
+/
–
20
mA
Output Current on Any I/O Pin
+/
–
20
mA
Package Power Dissipation
1.5
W
Storage Temperature
–
55 to 125
o
C
T
BIAS
Temperature Under Bias
–
55 to 125
o
C
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
13/37
2004, GSI Technology
Note:
Permanent damage to the device may occur if the Absolute Maximum Ratings are exceeded. Operation should be restricted to Recommended
Operating Conditions. Exposure to conditions exceeding the Absolute Maximum Ratings, for an extended period of time, may affect reliability of
this component.
Power Supply Voltage Ranges
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
3.3 V Supply Voltage
V
DD3
3.0
3.3
3.6
V
2.5 V Supply Voltage
V
DD2
2.3
2.5
2.7
V
3.3 V V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
DDQ3
3.0
3.3
3.6
V
2.5 V V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
DDQ2
2.3
2.5
2.7
V
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+1.5 V maximum, with a pulse width not to exceed 50% tKC.
2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816218BGD-250 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGD-250I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-150 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-150I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-200 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS816218BGD-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays
GS816218BGD-200V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays
GS816218BGD-250 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays
GS816218BGD-250V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 5.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays
GS816218DB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 澄城县| 秦皇岛市| 霍林郭勒市| 南丹县| 岗巴县| 墨江| 景谷| 石首市| 五大连池市| 濉溪县| 佛坪县| 昭平县| 容城县| 胶州市| 西盟| 和龙市| 桃园市| 莆田市| 邵阳县| 博客| 葫芦岛市| 四川省| 海原县| 望都县| 乌兰浩特市| 如东县| 红安县| 苍溪县| 正安县| 涟源市| 镇平县| 化州市| 通州区| 宝鸡市| 夹江县| 绥棱县| 玛纳斯县| 三台县| 东宁县| 古浪县| 扶沟县|