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參數資料
型號: GS816218D-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數: 23/41頁
文件大小: 980K
代理商: GS816218D-250
Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
23/41
1999, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKC
tKH
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
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PDF描述
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